Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Фосфид бора является перспективным соединением для создания солнечных элементов на основе гетероперехода BP/n-Si. В данной статье были исследованы свойства слоев BP, выращенных методом низкотемпературного плазмохимического осаждения из газовой фазы, в режиме непрерывного осаждения с потоками диборана и фосфина. Было продемонстрировано выпрямляющее поведение структуры Au/BP/n-Si при увеличении мощности плазмы, а также разбавления дополнительным потоком водорода, что привело к увеличению проводимости, а структуры типа Au/BP/p-Si показали фотоэлектрический отклик при освещении солнечным спектром. В результате полученные слои являются донорно легированными, а измерения профилей концентрации свободных носителей заряда, полученные из вольт-фарадных характеристик при разных температурах, подтверждают активацию проводимости слоя ВР.