Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

В данной работе исследуется влияние облучения на низких околоземных орбитах, на структуры с гетеропереходом (p)a-Si:H/(n)c-Si. Образцы облучались электронным пучком с энергией 2 МэВ и флюенсами от 3·10¹³  см^-2 до 3·10¹⁵ см^-2. Производительность солнечных элементов ухудшается с увеличением флюенса из-за уменьшения времени жизни носителей заряда в объемном кремнии. По результатам DLTS-измерений были  обнаружены три дефекта с энергиями активации 0,18 эВ, 0,25 эВ и 0,43 эВ, а также определена их природа. Далее был проведен анализ концентраций найденных дефектов, в ходе которого стало ясно, что  концентрация дефектов уменьшается с увеличением глубины исследуемой структуры. Также прослеживается корреляция между флюенсом и концентрацией. Средние значения концентраций варьируются от 10¹² до 10¹⁴.