Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
В работе исследуется влияние геометрии кремниевых нановолокон (КНН) на производительность солнечных элементов на основе радиальных p-i-n a-Si:H структур, осажденных на КНН. Солнечные элементы на основе
вертикально-ориентированных структур с высотой КНН менее 10 мкм по значениям напряжения холостого хода практически не уступают планарному элементу, а по значениям плотности тока короткого замыкания превосходят его до 1.5 раз (3.9–4.9 мА/ см2). Увеличение значения тока короткого замыкания связано с расширением спектра квантовой эффективности, причем с уменьшением диаметра кремниевых нановолокон
(с 1.8 до 0.7 мкм) наблюдается существенное расширение границы спектра квантовой эффективности в коротковолновую область. Для структур c высотой кремниевых нановолокон более 10 мкм отмечается снижение значения напряжения холостого хода и уменьшение абсолютного значения EQE.