Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Статья описывает результаты оптимизации быстрого термического отжига (RTA) омических контактов к слоям AlGaN:Si с высоким содержанием алюминия (70 мол.%) и различной концентрацией электронов.  Контактные характеристики были измерены с использованием метода TLM. Установлено, что для сильнолегированных слоев Al_0.7Ga_0.3N:Si (>10¹⁸см⁻³) отжиг контакта Ti(25нм)/Al(80нм)/Ti/Au при температуре 900 °С  в течение 60 с позволяет получить минимальное контактное сопротивление 8 Ом×мм и удельное контактное сопротивление 9×10−4 Ом·см2 при высокой однородности по поверхности 2-дюймовой подложки. Для слаболегированных слоев Al_0.7Ga_0.3N:Si (<10¹⁷ см⁻³) практически такие же контактные характеристики могут быть достигнуты при более высокой температуре RTA-отжига (~1000 °С) и увеличении толщины  контактного слоя Al до 250 нм.