НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Последние выпуски

    Статьи из рубрики "Новые материалы"

    Переключение эффекта Керкера от одиночных наночастиц из Sb2Se3

    Новые материалы
    Колесникова А.Р.Синельник А.Д.Литвинов Д.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 7
    • 431
    • Страницы: 162-167

    Роль диффузии носителей заряда в галогенидных перовскитных люминофорах с памятью для оптических вычислений

    Новые материалы
    Экгардт А.А.Сапожникова Е.В.Верхоглядов Г.А.Пушкарёв А.П.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 5
    • 433
    • Страницы: 156-161

    Генерация второй гармоники в йодовых квазидвумерных галогенидных перовскитных кристаллах

    Новые материалы
    Сапожникова Е.В.Семёнов Д.А.Аношкин С.С.Татаринов Д.А.Верхоглядов Г.А.Пушкарёв А.П.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 5
    • 467
    • Страницы: 151-155

    Исследование самогибридизованных волноводных экситон-поляритонов в двумерном антиферромагнетике CrSBr при комнатной температуре

    Новые материалы
    Калантаевский И.Э.Горелкина Т.Д.Кравцов В.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 6
    • 481
    • Страницы: 146-150

    Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

    Новые материалы
    Смирнов К.А.Жабоев Е.И.Митетело Н.В.Майдыковский А.И.Мурзина Т.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 20
    • 4385
    • Страницы: 152-157

    Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

    Новые материалы
    Матюнина К.С.Никольская А.А.Крюков Р.Н.Юнин П.А.Королев Д.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 21
    • 4045
    • Страницы: 171-177

    Переключаемые суперрезонансные состояния в метаповерхностях на основе материалов с фазовой памятью

    Новые материалы
    Кутузова А.А.Рыбин М.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 28
    • 5482
    • Страницы: 188-191

    Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

    Новые материалы
    Семенов А.Нечаев Д.B.Березина Д.Гусева Ю.А.Кулагина М.М.Смирнова И.П.Задиранов Ю.М.Трошков С.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 30
    • 5083
    • Страницы: 182-187