Шмидт Наталия Михайловна
Шмидт Наталия Михайловна

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 9301
  • Страницы: 45-48

Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 8995
  • Страницы: 71-80

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 34
  • 5356
  • Страницы: 70-76

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 4798
  • Страницы: 85-89

Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Новые материалы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 4739
  • Страницы: 182-187

Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 2748
  • Страницы: 177-181