Последние выпуски
Шабунина Евгения И.
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0003-4457-8149Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 34
- 5356
- Страницы: 70-76
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 18
- 4798
- Страницы: 85-89
Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 2748
- Страницы: 177-181

