Шабунина Евгения И.
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация
  • Публикации

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 29
  • 3307
  • Страницы: 70-76

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 2876
  • Страницы: 85-89

Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 810
  • Страницы: 177-181