Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
Авторы:
Аннотация:
Рассмотрены механизмы деградации в источниках излучения на основе полупроводниковых соединений A3B5, а также особенности процесса деградации в структурах InGaN/GaN. Анализируется проблема надежности полупроводниковых источников излучения.