Год: 2024 Том: 17 Выпуск: 1.1
Страниц: 179
165 4278

Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем

Объемные свойства полупроводников
  • 12
  • 158
  • Страницы: 6-11

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • 8
  • 174
  • Страницы: 12-19

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
  • 2
  • 152
  • Страницы: 20-24

Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

Объемные свойства полупроводников
  • 3
  • 152
  • Страницы: 25-30

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • 7
  • 173
  • Страницы: 31-36

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 3
  • 164
  • Страницы: 37-42

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 2
  • 157
  • Страницы: 43-48

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 4
  • 152
  • Страницы: 49-54

Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 3
  • 141
  • Страницы: 55-61

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 2
  • 155
  • Страницы: 62-67

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 1
  • 138
  • Страницы: 68-76

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 4
  • 151
  • Страницы: 77-82

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 4
  • 164
  • Страницы: 83-88

Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 1
  • 148
  • Страницы: 89-94

Возбуждение терагерцовой волной плазмонных мод, локализованных на краю графенового прямоугольника

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 5
  • 161
  • Страницы: 95-99

Флуоресценция одиночных центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах в цилиндрических углублениях на золотой пленке

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 8
  • 167
  • Страницы: 100-104

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 5
  • 161
  • Страницы: 105-112

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 22
  • 208
  • Страницы: 113-118

Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 12
  • 152
  • Страницы: 119-124

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 3
  • 137
  • Страницы: 125-130

Повышение добротности сферических резонаторов с помощью радиальной анизотропии

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 5
  • 137
  • Страницы: 131-136

Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 7
  • 152
  • Страницы: 137-142

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 1
  • 134
  • Страницы: 143-148

Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 3
  • 140
  • Страницы: 149-154

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 2
  • 144
  • Страницы: 155-159

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 0
  • 134
  • Страницы: 160-164

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 3
  • 135
  • Страницы: 165-170

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы
  • 2
  • 137
  • Страницы: 171-177