НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    • cover_72
    Год: 2024
    Том: 17
    Выпуск: 1.1
    Страниц: 179
    1031
    113922
    Предыдущий выпускАрхив выпусковСледующий выпуск
    Подать статью
    Полный текст
    XML JATS
    Последние выпуски

    Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем

    Объемные свойства полупроводников
    Жиляков В.Л.Югова И.А.
    • 47
    • 4040
    • Страницы: 6-11

    Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

    Объемные свойства полупроводников
    Мелентьев Г.А.Караулов Д.А.Костромин Н.А.Винниченко М.Я.Фирсов Д.А.Шалыгин В.А.
    • 67
    • 4496
    • Страницы: 12-19

    Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

    Объемные свойства полупроводников
    Здоровейщев Д.А.Вихрова О.В.Данилов Ю.А.Дудин Ю.А.Здоровейщев А.В.Парафин А.Е.Дроздов М.Н.
    • 21
    • 4414
    • Страницы: 20-24

    Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

    Объемные свойства полупроводников
    Пшеничный В.А.Дубинина Т.В.Дроздов К.А.
    • 22
    • 3909
    • Страницы: 25-30

    Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs: Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кузнецова М.С.Кавокин К.В.Джиоев Р.И.
    • 36
    • 4099
    • Страницы: 31-36

    Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Козодаев Д.А.Новиков И.А.Мошников В.А.
    • 21
    • 3996
    • Страницы: 37-42

    Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Осинных И.В.Малин Т.В.Милахин Д.С.Журавлев К.С.
    • 28
    • 4475
    • Страницы: 43-48

    Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Гогина О.А.Петров Ю.В.Вывенко О.Ф.Ковальчук С.Болотин К.
    • 38
    • 4236
    • Страницы: 49-54

    Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Доморацкий Е.В.Захарченко М.В.Глинский Г. Ф.
    • 57
    • 4044
    • Страницы: 55-61

    Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Тимофеев В.А.
    • 52
    • 3805
    • Страницы: 62-67

    Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Адамов Р.Б.Мелентьев Г.А.Подоскин А.А.Слипченко С.О.Седова И.В.Сорокин С.В.Махов И.С.Фирсов Д.А.Шалыгин В.А.
    • 27
    • 4351
    • Страницы: 68-76

    Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с y = 0,07−0,12

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Ружевич М.С.Мынбаев К.Д.Баженов Н.Л.Романов В.В.Моисеев К.Д.
    • 27
    • 3779
    • Страницы: 77-82

    Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Хахулин С.А.Фирсов Д.Д.Комков О.С.Тимофеев В.А.Скворцов И.В.Машанов В.И.Уткин Д.Е.
    • 40
    • 3935
    • Страницы: 83-88

    Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Сарыпов Д.И.Похабов Д.А.Погосов А.Г.Егоров Д.А.Жданов Е.Ю.Бакаров А.К.
    • 41
    • 4207
    • Страницы: 89-94

    Возбуждение терагерцовой волной плазмонных мод, локализованных на краю графенового прямоугольника

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Машинский К.В.Попов В.В.Фатеев Д.В.
    • 18
    • 4086
    • Страницы: 95-99

    Флуоресценция одиночных центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах в цилиндрических углублениях на золотой пленке

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Живописцев А.А.Ромшин А.М.Грициенко А.В.Лега П.В.Баграмов Р.Х.Филоненко В.П.Витухновский А.Г.Власов И.И.
    • 52
    • 4308
    • Страницы: 100-104

    Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Устименко Р.В.Караулов Д.А.Винниченко М.Я.Махов И.С.Фирсов Д.А.Саркисян А.А.Саргсян Т.А.Айрапетян Д.Б.
    • 43
    • 4392
    • Страницы: 105-112

    Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Козко И.А.Карасёва Е.П.Сосновицкая З.Ф.Истомина М.С.Федоров В.В.Шмаков С.В.Кондратьев В.М.Большаков А.Д.
    • 61
    • 3981
    • Страницы: 113-118

    Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Карасёва Е.П.Козко И.А.Ридер М.А.Ковова М.С.Захаров В.В.Федина С.В.Кондратьев В.М.Большаков А.Д.
    • 34
    • 3808
    • Страницы: 119-124

    Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Шаров В.А.Алексеев П.А.Федоров В.В.Мухин И.С.
    • 21
    • 3759
    • Страницы: 125-130

    Повышение добротности сферических резонаторов с помощью радиальной анизотропии

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Эгбали А.Вишневый А.А.
    • 15
    • 3908
    • Страницы: 131-136

    Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Николаева А.В.Кондратьев В.М.Кадинская С.А.Маркина Д.Е.Лендяшова В.В.Дворецкая Л. Н.Монастыренко А.О.Кочетков Ф.М.Большаков А.Д.
    • 37
    • 4045
    • Страницы: 137-142

    Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Харин Н.Ю.Паневин В.Ю.Винниченко М.Я.Норватов И.А.Федоров В.В.Фирсов Д.А.
    • 21
    • 3739
    • Страницы: 143-148

    Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Хамуд Г.А.Камаев Г.Н.Вернья М.Володин В.А.
    • 32
    • 4257
    • Страницы: 149-154

    Высокотемпературные высоковольтные p-i-n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичИванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • 15
    • 3730
    • Страницы: 155-159

    Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.Теруков Е.И.
    • 29
    • 4157
    • Страницы: 160-164

    Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Калиновский В.С.Малеев Н.А.Васильев А.П.Контрош Е.В.Толкачев И.А.Прудченко К.К.Устинов В.М.
    • 26
    • 4127
    • Страницы: 165-170

    Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

    Новые материалы
    Матюнина К.С.Никольская А.А.Крюков Р.Н.Юнин П.А.Королев Д.С.
    • 21
    • 3839
    • Страницы: 171-177