НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Год: 2024 Том: 17 Выпуск: 1.1
Страниц: 179
789 50452
Подать статью
Полный текст
XML
Последние выпуски

Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем

Объемные свойства полупроводников
Жиляков В.Л. Югова И.А.
  • 40
  • 1827
  • Страницы: 6-11

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
Мелентьев Г.А. Караулов Д.А. Костромин Н.А. Винниченко М.Я. Фирсов Д.А. Шалыгин В.А.
  • 48
  • 1938
  • Страницы: 12-19

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
Здоровейщев Д.А. Вихрова О.В. Данилов Ю.А. Дудин Ю.А. Здоровейщев А.В. Парафин А.Е. Дроздов М.Н.
  • 14
  • 1850
  • Страницы: 20-24

Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

Объемные свойства полупроводников
Пшеничный В.А. Дубинина Т.В. Дроздов К.А.
  • 17
  • 1680
  • Страницы: 25-30

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
Бердников В.С. Кузнецова М.С. Кавокин К.В. Джиоев Р.И.
  • 22
  • 1889
  • Страницы: 31-36

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Козодаев Д.А. Новиков И.А. Мошников В.А.
  • 15
  • 1855
  • Страницы: 37-42

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Осинных И.В. Малин Т.В. Милахин Д.С. Журавлев К.С.
  • 24
  • 1947
  • Страницы: 43-48

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Гогина О.А. Петров Ю.В. Вывенко О.Ф. Ковальчук С. Болотин К.
  • 31
  • 1870
  • Страницы: 49-54

Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Доморацкий Е.В. Захарченко М.В. Глинский Г. Ф.
  • 33
  • 1693
  • Страницы: 55-61

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Чуманов И.В. Фирсов Д.Д. Коляда Д.В. Комков О.С. Скворцов И.В. Машанов В.И. Тимофеев В.А.
  • 32
  • 1694
  • Страницы: 62-67

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Адамов Р.Б. Мелентьев Г.А. Подоскин А.А. Слипченко С.О. Седова И.В. Сорокин С.В. Махов И.С. Фирсов Д.А. Шалыгин В.А.
  • 25
  • 2047
  • Страницы: 68-76

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Ружевич М.С. Мынбаев К.Д. Баженов Н.Л. Романов В.В. Моисеев К.Д.
  • 26
  • 1674
  • Страницы: 77-82

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Хахулин С.А. Фирсов Д.Д. Комков О.С. Тимофеев В.А. Скворцов И.В. Машанов В.И. Уткин Д.Е.
  • 32
  • 1829
  • Страницы: 83-88

Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Сарыпов Д.И. Похабов Д.А. Погосов А.Г. Егоров Д.А. Жданов Е.Ю. Бакаров А.К.
  • 31
  • 1892
  • Страницы: 89-94

Возбуждение терагерцовой волной плазмонных мод, локализованных на краю графенового прямоугольника

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Машинский К.В. Попов В.В. Фатеев Д.В.
  • 11
  • 1744
  • Страницы: 95-99

Флуоресценция одиночных центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах в цилиндрических углублениях на золотой пленке

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Живописцев А.А. Ромшин А.М. Грициенко А.В. Лега П.В. Баграмов Р.Х. Филоненко В.П. Витухновский А.Г. Власов И.И.
  • 42
  • 1866
  • Страницы: 100-104

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Устименко Р.В. Караулов Д.А. Винниченко М.Я. Махов И.С. Фирсов Д.А. Саркисян А.А. Саргсян Т.А. Айрапетян Д.Б.
  • 36
  • 2069
  • Страницы: 105-112

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Козко И.А. Карасёва Е.П. Сосновицкая З.Ф. Истомина М.С. Федоров В.В. Шмаков С.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.
  • 48
  • 1770
  • Страницы: 113-118

Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Карасёва Е.П. Козко И.А. Ридер М.А. Ковова М.С. Захаров В.В. Федина С.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.
  • 30
  • 1725
  • Страницы: 119-124

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Шаров В.А. Алексеев П.А. Федоров В.В. Мухин И.С.
  • 17
  • 1644
  • Страницы: 125-130

Повышение добротности сферических резонаторов с помощью радиальной анизотропии

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Эгбали А. Вишневый А.А.
  • 12
  • 1704
  • Страницы: 131-136

Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Николаева А.В. Кондратьев В.М. Кадинская С.А. Маркина Д.Е. Лендяшова В.В. Дворецкая Л. Н. Монастыренко А.О. Кочетков Ф.М. Большаков А.Д.
  • 29
  • 1707
  • Страницы: 137-142

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Харин Н.Ю. Паневин В.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В. Фирсов Д.А.
  • 19
  • 1619
  • Страницы: 143-148

Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Хамуд Г.А. Камаев Г.Н. Вернья М. Володин В.А.
  • 20
  • 2011
  • Страницы: 149-154

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • 9
  • 1634
  • Страницы: 155-159

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Михайлов О.П. Баранов А.И. Гудовских А.С. Теруков Е.И.
  • 20
  • 1832
  • Страницы: 160-164

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Калиновский В.С. Малеев Н.А. Васильев А.П. Контрош Е.В. Толкачев И.А. Прудченко К.К. Устинов В.М.
  • 19
  • 1781
  • Страницы: 165-170

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы
Матюнина К.С. Никольская А.А. Крюков Р.Н. Юнин П.А. Королев Д.С.
  • 15
  • 1661
  • Страницы: 171-177