Толкачев Иван Андреевич
Толкачев Иван Андреевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Энерго-информационный гибридный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 29
  • 5556
  • Страницы: 47-51

Фотовольтаические характеристики HJT фотопреобразователей лазерного излучения на длине волны 1064 нм

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 29
  • 5327
  • Страницы: 52-58

Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 37
  • 5157
  • Страницы: 30-41

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 4004
  • Страницы: 165-170

Перспективы двухстороннего четырехпереходного гибридного солнечного элемента для концентраторной фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 21
  • Страницы: 117-122