Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Предложен новый тип термостабильного GaAs/AlGaAs туннельного диода с промежуточным i-слоем, как соединительный элемент между фотоактивными суб-элементами в монолитных многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения. В температурном диапазоне (25−80) °С исследованы вольтамперные характеристики двух типов структур соединительных туннельных диодов: n⁺⁺-GaAs (δSi)/p⁺⁺-Al_0.4Ga_0.6As© и n⁺⁺-GaAs (δSi)/i-GaAs/p⁺⁺-Al_0.4Ga_0.6As:©. Получены температурные зависимости основных параметров ТД: плотности пикового туннельного тока — (J_p) и дифференциального сопротивления — (R_d). В образцах туннельных диодов структуры с i-слоем, получены на порядок большие значения J_pи на порядок меньшие значения R_d, с более высокой температурной стабильностью, чем в образцах структуры без i-слоя. Полученные результаты полезны при разработке и создании монолитных многопереходных фотопреобразователей мощного лазерного излучения.