Перспективы двухстороннего четырехпереходного гибридного солнечного элемента для концентраторной фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Авторы:
Прудченко К.К.Контрош Е.В.Толкачев И.А.Аболмасов С.Н.Калиновский В.С.Теруков Е.И.
Аннотация:

Монолитный гибридный четырехпереходный солнечный элемент на основе GaInP/Ga (In)As/Ge электрогенерирующих линеек и n-α-Si:H/ (p)c-Si: (Ga)/ p-α-Si:H двухстороннего фотоактивного теплоотводящего основания был исследован в составе концентраторного фотоэлектрического модуля. Концентраторный фотоэлектрический модуль для солнечных батарей нового поколения способен обеспечить в начале срока службы удельную мощность ≤ 500 Вт/м2 (АМ0, 1367 Вт/м2) с учётом альбедо Земли. Определён «эффективный» коэффициент деградации диффузионной длины неосновных носителей заряда фотоактивного теплоотводящего основания KL = 1·10-11. Ожидаемый срок службы гибридного четырехпереходного солнечного элемента в составе модуля составит ≤ 15 лет на геостационарной орбите. Учёт альбедо Земли позволяет не только увеличить вырабатываемую электрическую мощность, но и снизить тепловую нагрузку на солнечную батарею космического аппарата.