Зависимость оптических взаимодействий в каскадных солнечных элементах от освещенности и температуры

Оптические взаимодействия в многопереходных солнечных элементах являются следствием процесса излучательной рекомбинации носителей заряда в широкозонном субэлементе с соответствующей этому генерацией дополнительного фототока в более узкозонном субэлементе при фотоэлектрическом преобразовании излученных фотонов. В статье предложена методика экспериментального определения эффективности оптических взаимодействий, включающая регистрацию ее предельного значения γS. Методика апробирована на трехпереходных солнечных элементах GaInP/GaAs/Ge. Регистрация параметра γS осуществлялась при сверхвысоких плотностях тока через p-n-переход, что достигалось использованием малоразмерных образцов и специализированного оборудования. Обсуждается связь полученных значений со свойствами полупроводниковой структуры, в том числе зависимость эффективности излучательной рекомбинации (интенсивности люминесценции) от температуры.