Последние выпуски
Тимофеев Вячеслав Алексеевич
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация
Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 24
- 4656
- Страницы: 73-78
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 50
- 3686
- Страницы: 62-67
Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 40
- 3820
- Страницы: 83-88
Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 0
- 25
- Страницы: 45-50

