Последние выпуски
Лошкарев Иван Дмитриевич
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация
Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 24
- 4676
- Страницы: 73-78
Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 0
- 68
- Страницы: 45-50