Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

В работе исследованы вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных p-i-n диодов на основе слоев Al_xGa_1-xAs_1-ySb_y с x от 0 до 0.6 и y от 0 до 0.2, изготовленных методом жидко-фазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Выяснено, что для p⁰-i-n⁰ переходов на основе GaAs, Al_xGa_1-xAs и Al_xGa_1-xAs_1-ySb_y с x до 0.6 и y до 0.04 при малых плотностях тока прямые вольт-амперные характеристики описываются как сумма рекомбинационного тока в области объемного заряда и диффузионного тока в базовых слоях. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда уменьшается от ~ 170 нс в GaAs слоях до 30−60 нс в слоях Al_xGa_1-xAs с x от 0.2 до 0.45 и до 4−12 нс в Al_xGa_1-xAs_1-ySb_y слоях.