Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Авторы:
Бабичев А.В.Ковач Я.Н.Драгунова А.С.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Задиранов Ю.М.Салий Ю.А.Кулагина М.М.Бобров М.A.Васильев А.П.Блохин С.А.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
Аннотация:

Гетероструктура планарного микрорезонатора была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована одномодовая генерация на длине волны 960 нм для микролазеров с диаметром 15 мкм. При температуре 300 К порог генерации составлял приблизительно 30 мВт. Превышение пороговой мощности в 2.7 раза привело к сдвигу положения энергии кванта, соответствующей длине волны генерации, около 1 мэВ. Данное смещение положения энергии кванта соответствует нагреву лазера около 12 градусов.