Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Представлены сравнительные исследования оптических и структурных свойств квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом Странски-Крастанова с использованием молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии. Анализ спектров фотолюминесценции при сверхнизких уровнях накачки показал, что массив квантовых точек, выращенных методом газофазной эпитаксии, проявляет фотолюминесценцию, соответствующую переходам через основные состояния, а массив квантовых точек, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, проявляет бимодальное поведение - наличие двух характерных ансамблей квантовых точек с разными размерами, соответствующих двум пикам фотолюминесценции. Представлены и обсуждены результаты исследования квантовых точек InGaAs/GaAs методом просвечивающей электронной микроскопии.