Последние выпуски
Лозовой Кирилл Александрович
Место работы
Национальный исследовательский Томский государственный университет
г. Томск, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0002-4029-8353Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si (100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 4567
- Страницы: 112-116
Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 31
- 4971
- Страницы: 232-236
Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2901
- Страницы: 139-142
Определение длины сверхструктуры 2xN при синтезе Ge на Si (001) при разных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 4
- 664
- Страницы: 91-95

