Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

Математическое моделирование физических процессов
Авторы:
Хомякова Кристина Игоревна Диб Хазем Лозовой Кирилл Александрович Коханенко Андрей Павлович
Аннотация:

В данной статье выполнено проектирование планарной структуры лавинного фотодиода на основе Ge/Si. Представлены зависимости коэффициента усиления и полосы пропускания от напряжения смещения для разных толщин слоев поглощения и умножения лавинного фотодиода на основе Ge/Si.