Пирогов Евгений Викторович
Пирогов Евгений Викторович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 5596
  • Страницы: 113-118

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 5001
  • Страницы: 133-137

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 29
  • 3456
  • Страницы: 182-186

Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 21
  • 3519
  • Страницы: 275-278

Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 1226
  • Страницы: 45-48

Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 1316
  • Страницы: 53-56

Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 1256
  • Страницы: 172-177