Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов
Авторы:
Аннотация:
Гибридные структуры 3С-SiC/Si выращены методом согласованного замещения атомов на подложках Si (111), легированных фосфором или бором. Эволюция микроструктуры в процессе роста анализировалась для интервала времени 1−40 минут. Результаты показывают реконструкцию пленок 3C-SiC (111) на 3−5 минуте роста. Обнаружено отличие в деформации пленки SiC на подложках Si p— и n-типов проводимости.