Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs
Авторы:
Аннотация:
В работе проведен анализ распределения температуры в активированной микрооптопаре, представляющей собой чип из монолитной двойной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAsSb/n-InAs 1×3. Распределения были получены как экспериментально с помощью инфракрасной микроскопии и анализа ВАХ, так и с помощью моделирования методом конечных элементов. Смоделированные значения температуры удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными, что позволяет установить зависимость между температурой активных элементов датчика и важно для повышения точности химического анализа.