Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
Авторы:
Никитина Е.В. Шубина К.Ю. Соболев М.С. Пирогов Е.В.
Аннотация:

В работе исследованы объемные слои твердых растворов GaPN (As), выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках фосфида галлия и кремния. Проведено сравнение морфологии, структурных и оптических свойств синтезированных эпитаксиальных слоев разбавленных нитридов. Показана возможность получения эпитаксиальных слоев GaPN (As) оптического качества на решеточно-рассогласованных кремниевых подложках.