Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
Авторы:
Никитина Екатерина Викторовна Шубина Ксения Юрьевна Соболев Максим Сергеевич Пирогов Евгений Викторович
Аннотация:

В работе исследованы объемные слои твердых растворов GaPN(As), выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках фосфида галлия и кремния. Проведено сравнение морфологии, структурных  и оптических свойств синтезированных эпитаксиальных слоев разбавленных нитридов. Показана возможность получения эпитаксиальных слоев GaPN(As) оптического качества на решеточно-рассогласованных кремниевых подложках.