Последние выпуски
Салий Роман Александрович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 18
- 4886
- Страницы: 411-415
Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 18
- 4285
- Страницы: 17-21
Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 6
- 715
- Страницы: 53-56

