Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs

В настоящей работе было исследовано влияние параметров компенсирующих слоев GaP на фотоэлектрические характеристики фотопреобразователей на GaAs с квантовыми точками InGaAs. Продемонстрировано  увеличение общего уровня квантовой эффективности в области поглощения квантовых точек (870-1000 нм) более чем на 10% при встраивании слоев GaP в промежуточные слои массива квантовых точек. Также показано, что в этом случае при высоких кратностях солнечного излучения может быть достигнуто заметное увеличение напряжения холостого хода.