Статьи по ключевому слову "GaAs"

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 494
  • Страницы: 50-55

Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 534
  • Страницы: 193-197

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 572
  • Страницы: 122-127

Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 9
  • 1120
  • Страницы: 96-100

Энерго-информационный гибридный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 13
  • 1286
  • Страницы: 47-51

Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 1131
  • Страницы: 411-415

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 1262
  • Страницы: 22-27

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 71
  • 1842
  • Страницы: 32-43

Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 1661
  • Страницы: 315-319

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 1615
  • Страницы: 48-53

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 7
  • 1734
  • Страницы: 42-47

Нелинейный циркулярный дихроизм в димерах и тримерах диэлектрических наночастиц

Физика молекул
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 1803
  • Страницы: 321-325