Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

Проведено теоретическое исследование формирования осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах, выращенных по механизму пар-жидкость-кристалл. В основе модели лежит материальный баланс в капле, где встраивание атомов в нитевидный нанокристалл лимитировано нуклеацией. Изучено влияние температуры роста, потока алюминия и концентрации золота в капле на резкость гетероперехода. В частности, мы сравниваем профили состава гетерострутурных авто-каталитических и Au-каталитических нитевидных нанокристаллов. Полученные результаты могут быть полезны при росте осевых гетеростуктур GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах.