Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1-xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии

В данной работе проведены исследования адсорбции In на подложках Al_xGa_1-xAs на начальной стадии процесса капельной эпитаксии с целью объяснить аномальное поведение, наблюдающееся при росте квантовых точек этим методом — увеличение содержания химически активного Al в подложках Al_xGa_1-xAs приводит не к уменьшению, а к увеличению подвижности адатомов In, влияя на конечное распределение квантовых точек InAs. DFT моделирование показало, что при взаимодействии адатомов In непосредственно с подложкой, Al снижает поверхностную подвижность адатомов, тогда как формирование промежуточного смачивающего слоя In между подложкой и адатомами приводит к изменению зависимости на противоположную — увеличение содержания Al приводит к уменьшению энергии адсорбции. Мы предполагаем, что данный эффект проявляется в капельной эпитаксии ввиду смены типа поверхностной структуры с As- на Me-стабилизированную, что приводит к непосредственному взаимодействию адатомов In с образовавшимся реконструированным смачивающим слоем.