Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Авторы:
Илькив Игорь Владимирович Котляр Константин Павлович Осипов Андрей Викторович Резник Родион Романович Цырлин Георгий Эрнстович
Аннотация:

Продемонстрирована возможность формирования кубических и гексагональных политипов германия на поверхности AlGaAs нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Впервые измерена диэлектрическая проницаемость гексагонального Ge в зависимости от энергии фотонов.

Финансовые условия:

Ростовые эксперименты были проведены при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (гос. задание № 0791-2023-0004). Спектроскопические исследования методом эллипсометрии были выполнены при финансовой поддержке Санкт-Петербургского государственного университета в рамках исследовательского гранта № 94031047. Рамановские спектры были получены при поддержке ресурсного центра СПбГУ «Оптические и лазерные методы исследования вещества». Расчеты методом ТФП были выполнены при финансовой поддержке Санкт-Петербургского государственного университета в рамках исследовательского гранта № 94033852.

Ключевые слова:
нитевидные нанокристаллы молекулярно-пучковая эпитаксия германий полупроводники
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Предыдущая статья Следующая статья