Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Использование многослойного буферного слоя, включающего слой AlN, выращенный при температуре более 1100° С, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1,5–2 порядка до значений (9–10)·108 см–2 по сравнению с аналогичным слоем GaN, выращенным на тонком низкотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к увеличению подвижности электронов в слоях GaN до 600–650 см2/(В·с), что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.