Воробьев Леонид Евгеньевич
Последние выпуски
- 2024, Том 17 Выпуск 1 Полный текст
- 2023, Том 16 Выпуск 4 Полный текст
- 2023, Том 16 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2023, Том 16 Выпуск 3.1 Полный текст
Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 641
- 6822
- Страницы: 15-21
Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si
- Год: 2011
- Выпуск: 3
- 0
- 5882
- Страницы: 46-50
Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 5667
- Страницы: 9-15
Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 5917
- Страницы: 9-15
Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 426
- 6299
- Страницы: 109-114
Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 87
- 5806
- Страницы: 56-65
Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 113
- 5754
- Страницы: 66-76
Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 5608
- Страницы: 25-30