Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек

Исследованы спектры поглощения излучения различной поляризации в структурах с квантовыми точками Ge/Si, имеющими различный уровень легирования при фотовозбуждении неравновесных носителей заряда. Получена зависимость коэффициента поглощения света при переходах дырок из основного состояния квантовых точек в состояния непрерывного спектра от концентрации легирующей примеси. Для объяснения полученных результатов проведен теоретический расчет энергетического спектра дырок в исследуемых структурах с использованием модели квантового ящика.