Фотолюминесценция короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs, выращенных на InP подложке

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Войтович В.И.Махов И.С.Андрюшкин В.В.Копытов П.Е.Папылев Д.С.Крыжановская Н.В.Жуков А.Е.
Аннотация:

Исследованы спектры фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs в широком диапазоне мощностей накачки при температурах 5−300 К. Спектры фотолюминесценции при 5 К состояли из полос люминесценции, связанных с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в сверхрешетках, а также в подложке и буферных слоях гетероструктур. Спектральные положения полос излучения сверхрешеток хорошо согласуются с расчетными значениями.