Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
Авторы:
Мельниченко Иван Алексеевич Крыжановская Наталья Владимировна Бердников Юрий Сергеевич Моисеев Эдуард Ильмирович Махов Иван Сергеевич
Аннотация:

Мы представляем исследование фотолюминесценции нановключений InP, монолитно интегрированных в подложку Si (100). Нановключения InP были выращены в предварительно сформированных отверстиях в  кремниевой подложке с использованием нового подхода, основанного на селективном росте и капельном осаждении на базе метода металлоорганической газофазной эпитаксии. Отдельные нановключения
InP/ Si были исследованы методом спектроскопии фотолюминесценции в диапазоне температур 5–300 K при различной мощности накачки. Спектры фотолюминесценции исследованных структур при комнатной температуре демонстрируют максимум интенсивности, соответствующий ширине запрещенной зоны InP в конфигурации сфалерита. Полученные результаты свидетельствуют о высоком кристаллическом качестве нановключений InP.