Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

В работе исследованы эффекты разогрева двумерных электронов электрическим полем в квантовой яме на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN. Рассчитаны скорости потери энергии двумерных электронов при взаимодействии с интерфейсными оптическими фононами и оптическими фононами полупространства. В расчетах учитывались динамическое экранирование поляризационного потенциала свободными электронами и эффект накопления фононов. Были рассчитаны энергии трех мод интерфейсных фононов. При рассеянии на интерфейсных фононах основной вклад в скорость рассеяния энергии при температуре электронов выше 70 К вносит высокоэнергичная мода с энергией 96.2 мэВ. Скорость рассеяния энергии при взаимодействии с фононами полупространства больше по сравнению с интерфейсными фононами при температуре электронов выше 40 К. Рассчитана полевая зависимость электронной температуры с учетом различных эффектов, влияющих на разогрев носителей заряда. Рассчитанная температура электронов достигает наибольших значений при одновременном учете динамического экранирования и эффекта накопления фононов. Рассчитаны спектры излучения горячих двумерных электронов для нескольких электронных температур.