Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

В работе исследована возможность увеличения интенсивности терагерцового (ТГц) излучения при оптической межзонной накачке в эпитаксиальном слое GaAs, легированном мелкими донорами, за счет реализации условий для стимулированного межзонного излучения ближнего инфракрасного (ИК) диапазона, интенсивно опустошающего основное состояние донора. Получены спектры фотолюминесценции в ближнем ИК и ТГц диапазонах в до- и постпороговом режимах генерации излучения ближнего ИК диапазона. В ТГц спектрах наблюдается изменение характера зависимости интенсивности излучения от накачки, связанное с уменьшением излучательного времени жизни электронов на примесном уровне.