Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем

Физическая электроника
Авторы:
Аннотация:

В данной статье продемонстрировано моделирование нормально закрытых р-канальных и n-канальных транзисторов на основе GaN платформы с р-GaN слоем, а также предложена методика оценки типа прибора по его ключевым параметрам гетероструктуры. Разработана конструкция гетероструктуры для формирования GaN платформы с р-GaN слоем, которая позволит формировать приборы различного типа в едином  технологическом цикле на единой подложке, а также создать комплиментарную пару на основе GaN приборов.