НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "HEMT"

    Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Родин С.Н.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 9
    • 983
    • Страницы: 129-133

    Исследование повышения энергоэффективности монолитных интегральных схем приемного тракта радиометра методами компьютерного моделирования

    Физическая электроника
    Тихомиров В.Г.Чижиков С.В.Гудков А.Г.Сидоров И.А.Синев И.С.Кушнерев А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 1329
    • Страницы: 159-163

    Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 27
    • 4896
    • Страницы: 46-51

    Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Е.В.Березовская Т.Н.Пирогов Е.В.Василькова Е.И.Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Соболев М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 5238
    • Страницы: 133-137

    Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Кельнер Олег АлександровичЦацульников А.Ф.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 39
    • 5663
    • Страницы: 50-54

    Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 34
    • 5660
    • Страницы: 380-384

    Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем

    Физическая электроника
    Егоркин В.И.Земляков В.Е.Зайцев А.А.Чуканова О.Б.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 29
    • 6347
    • Страницы: 134-137

    Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии

    Физика конденсированного состояния
    Козловский Э.Ю.Спивак Ю.М.Мошников В.А.Пономарева А.А.Селезнев Б.И.Иванов Н.Н.Желаннов А.В.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 1
    • 1
    • 10027
    • Страницы: 18-28