Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Козловский Эдуард Юрьевич Спивак Юлия Михайловна Мошников Вячеслав Алексеевич Пономарева Алина Александровна Селезнев Борис Иванович Иванов Николай Николаевич Желаннов Андрей Валерьевич
Аннотация:

Морфология поверхности транзисторных структур типа рНЕМТ на основе GaAs исследована методами атомно-силовой микроскопии. Рассматрены особенности технологии формирования рНЕМТ-транзисторов, факторы, влияющие на рабочие параметры таких структур. На примере исследования активной области рНЕМТ-транзисторов показаны возможности повышения информативности данных при использовании комбинированного подхода, сочетающего процессы травления с последующей АСМ.