Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии

В работе проведены экспериментальные исследования морфологии поверхности пленок AlGaN, сформированных на слоях SiC нанометровой толщины, синтезированных на Si методом замещения атомов. Методом атомно-силовой микроскопии изучены структурные характеристики поверхности гетероструктур AlGaN/SiC/Si и AlGaN/AlN/SiC/Si, выращенных на Si с ориентациями (011) ,(001) и (111). Показано, что ориентация Si оказывает существенное влияние на морфологию поверхности пленок AlGaN. Измерена шероховатость поверхности и характерные размеры структуры поверхности AlGaN на нано-SiC/Si с буферным слоем AlN и без него. Показано, что буферный слой AlN приводит к изменению характерных размеров элементов структуры поверхности слоев AlGaN.