НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "AlGaN"

    Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Родин С.Н.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 29
    • Страницы: 129-133

    Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Филимонов А.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 688
    • Страницы: 143-147

    Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Усыченко В. Г.Чернова А. С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 22
    • 4377
    • Страницы: 61-70

    Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

    Физическое материаловедение
    Леньшин А.С.Золотухин Д.С.Середин П.В.Мизеров А.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 4415
    • Страницы: 249-254

    Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гращенко А.С.Кукушкин С.А.Шарофидинов Ш.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 12
    • 4733
    • Страницы: 223-227

    Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

    Физическая электроника
    Козловская Е.А.Курбанбаева Д.М.Царик К.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 33
    • 4532
    • Страницы: 449-453

    Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

    Новые материалы
    Семенов А.Нечаев Д.B.Березина Д.Гусева Ю.А.Кулагина М.М.Смирнова И.П.Задиранов Ю.М.Трошков С.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 30
    • 4727
    • Страницы: 182-187

    Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 29
    • 5058
    • Страницы: 170-175

    Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Тальнишних Н.А.Иванов А.Е.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 18
    • 4788
    • Страницы: 85-89

    Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 32
    • 4886
    • Страницы: 380-384

    Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

    Физика конденсированного состояния
    Березняк А. Ф.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 8966
    • Страницы: 43-48

    Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия

    Физика конденсированного состояния
    Ламкин И.А.Менькович Е.А.Тарасов С.А.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9666
    • Страницы: 28-31

    Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

    Физика конденсированного состояния
    Мамаев В.В.Сидоров В.Г.Петров С.И.Алексеев А.Н.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 4
    • 1
    • 9130
    • Страницы: 28-31