Статьи по ключевому слову "AlGaN"
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 359
- Страницы: 249-254
Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 387
- Страницы: 223-227
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 448
- Страницы: 449-453
Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 13
- 967
- Страницы: 182-187
Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 20
- 1275
- Страницы: 170-175
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 12
- 983
- Страницы: 85-89
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 13
- 1049
- Страницы: 380-384
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 5529
- Страницы: 43-48
Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 5878
- Страницы: 28-31
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 5338
- Страницы: 28-31