Фотолюминесценция и фотоотражение отожженных пленок HgCdTe с большим содержанием CdTe

Приведены результаты исследования фотолюминесценции и фотоотражения пленок Hg_1-xCd_xTe с мольной долей CdTe x = 0.5 — 0.7. Пленки были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и подвергнуты отжигу в условиях дефицита ртути для перевода в дырочный тип проводимости путем генерации собственных акцепторов — вакансий ртути. Отжиг привел к существенному высокоэнергетическому сдвигу спектров и фотолюминесценции, и фотоотражения. В пленках обнаружены энергетические уровни в запрещенной зоне с энергией ионизации от 44 до 125 мэВ; обсуждается их природа.