Статьи по ключевому слову "ion implantation"

Образование устойчивых радиационных повреждений при последовательной ионной бомбардировке альфа-оксида галлия

Физическая электроника
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 2
  • 11
  • 748
  • Страницы: 98-106

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 5114
  • Страницы: 20-24

Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 41
  • 6156
  • Страницы: 42-49

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 5869
  • Страницы: 162-166

Энергетический спектр и свойства сульфида свинца с имплантированным кислородом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 410
  • 10427
  • Страницы: 9-20

Методика расчета молекулярного эффекта при ионном облучении на основе пороговой плотности каскадов смещений

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9809
  • Страницы: 29-33

Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 10509
  • Страницы: 55-61

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 10159
  • Страницы: 49-55

Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

Физическая электроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 10504
  • Страницы: 64-70