Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения

В работе получены распределения структурных нарушений при облучении альфа-фазы оксида галлия ионами фтора, фосфора и ксенона с энергией, измеряемой килоэлектронвольтами (температура комнатная). Установлено заметное влияние усредненной плотности индивидуальных каскадов столкновений на эффективность введения стабильных нарушений для поверхностного пика радиационных дефектов. В отличие от случаев ионной имплантации во многие другие полупроводники, впервые обнаружено, что в альфа-Ga2O3 между поверхностным и объемным максимумами структурных нарушений возникает дополнительный пик. Этот промежуточный максимум ясно виден на спектрах резерфордовского обратного рассеяния при малых уровнях повреждения. Изучены характерные особенности впервые обнаруженного максимума.