Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si

В данной работе проведен расчет электрических свойств солнечных элементов (n)GaP–p(Si) для различных конфигураций контактной сетки. Было показано влияние температуры отжига на вольтамперные характеристики солнечных элементов при помощи измерений методом Холла и моделирования. Для расчетов использовались ширина контактов 20 мкм и 200 мкм. Первая группа соответствует нанесению контактов
при помощи литографии. Вторая группа может подойти для масштабируемого метода трафаретной печати. Расстояние между контактами варьировалось в диапазоне от 50 мкм до 4000 мкм при ширине контакта 20 мкм и в диапазоне от 200 мкм до 4000 мкм при ширине контакта 200 мкм. По результатам расчетов термический отжиг при 600– 700 °С оптимален для конфигурации контактной сетки 20 мкм. Прогнозируемый
КПД преобразования составляет приблизительно 21.5%. При ширине контактов 200 мкм оптимальная температура отжига составляет 700 °С. Эти условия соответствуют эффективности преобразования 19%.