Доминирующая рекомбинация в арсенид-галлиевом солнечном элементе через сжатую квантовую яму GaAs/In0.4Ga0.6As/GaAs

Статья посвящена изучению причин увеличения тока насыщения p-n перехода с включенными в него квантовыми объектами (квантовыми ямами и др.). Сделано и проверено предположение о том, что квантовые объекты создают дополнительные рекомбинационные центры в матричном материале p-n перехода. Для этого представлена модель, объясняющая поведение квантового выхода электролюминесценции. Показано, что модель применима для описания экспериментальной зависимости интенсивности электролюминесценции от температуры при условиях постоянного тока, пропускаемого через p-n переход с квантовыми объектами. Эксперимент был проведен для GaAs солнечных элементов с различным количеством квантовых объектов (1, 5, 10). В качестве квантовых объектов были использованы сжатые GaAs/In_0.6Ga_0.4As/GaAs квантовые ямы, являющиеся гибридными, ямо-подобными квантовыми объектами. Фундаментальные параметры исследуемых образцов были определены. Было показано, что предположение о наличии дополнительных рекомбинационных центров может являться одним из объяснений увеличения тока насыщения p-n переходов с квантовыми объектами.