Доминирующая рекомбинация в арсенид-галлиевом солнечном элементе через сжатую квантовую яму GaAs/In0.4Ga0.6As/GaAs

Статья посвящена изучению причин увеличения тока насыщения p–n перехода с включенными в него квантовыми объектами (квантовыми ямами и др.). Сделано и проверено предположение о том, что квантовые объекты создают дополнительные рекомбинационные центры в матричном материале p–n перехода. Для этого представлена модель, объясняющая поведение квантового выхода электролюминесценции. Показано, что модель применима для описания экспериментальной зависимости интенсивности электролюминесценции от температуры при условиях постоянного тока, пропускаемого через p–n переход с квантовыми объектами. Эксперимент был проведен для GaAs солнечных элементов с различным количеством квантовых объектов (1, 5, 10). В качестве квантовых объектов были использованы сжатые GaAs/In_0.6Ga_0.4As/GaAs квантовые ямы, являющиеся гибридными, ямо-подобными квантовыми объектами. Фундаментальные параметры исследуемых образцов были определены. Было показано, что предположение о наличии дополнительных рекомбинационных центров может являться одним из объяснений увеличения тока насыщения p–n переходов с квантовыми объектами.