Численное моделирование параметров энергоэффективного малошумящего транзистора для применения в усилительном тракте миниатюрного радиотермографа

Высокое потребление тока усилительных каскадов в миниатюрном корпусе радиотермографа при существующих на сегодня микросхемах приводит к значительному повышению температуры внутри корпуса с находящимся там опорным источником шума и последующему нагреву окружающих тканей с искажением картины реального поля внутренних температур биобъекта. Существующую проблему можно решить созданием новых активных элементов специализированных монолитных СВЧ микросхем – малошумящих транзисторов, для которых уже при проектировании гетероструктур будут учитываться требования высокой энергоэффективности, прежде всего низкого тепловыделения в окружающее пространство, малого уровня шумов и достаточного коэффициента усиления. В работе представлены результаты численного моделирования малошумящего транзистора с низким потреблением мощности для использования в составе монолитных интегральных схем энергоэффективного малошумящего усилителя для применения в усилительном тракте миниатюрного радиотермографа.