Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

Проведено теоретическое моделирование солнечного элемента с гетеропереходом ZnO/Cu₂O для оптимизации его структуры и повышения эффективности преобразования энергии. Исследовано влияние толщины и концентрации дефектов в слоях Cu₂O и ZnO на эффективность солнечного элемента. Получено, что оптимальная толщина слоев Cu₂O и ZnO должна составлять 5 мкм и 20 нм соответственно. Показано, что для получения высокой эффективности солнечного элемента концентрация дефектов (вакансий меди) в слое Cu₂O должна быть 10¹⁵ см^-3, а концентрация дефектов (кислородных вакансий) в слое ZnO должна быть 10¹⁹ см^-3. Получена максимальная эффективность солнечного элемента на основе ZnO/Cu₂O равная 6 %. Проведено экспериментальное формирование методом магнетронного распыления при комнатной температуре слоев Cu₂O и ZnO, исследована их морфология поверхности и созданы экспериментальные образцы оксидных солнечных элементов.