Локализационная микроскопия источников одиночных фотонов в локально деформированных монослоях полупроводников

Интеграция однофотонных излучателей с нанофотонными структурами на оптическом чипе является ключевой задачей в области разработки будущих квантовых оптоэлектронных устройств. Здесь мы изучаем источники одиночных фотонов в монослое WSe₂, сформированные методом локальной деформации с помощью зонда атомно-силового микроскопа. Используя метод бихроматической фотолюминесцентной визуализации, мы определяем пространственное расположение однофотонных излучателей с высокой точностью в глубоком субволновом масштабе.